Компания Samsung сообщила о выпуске первой в мире 8-гигабитной микросхемы NAND-флэш памяти, построенной с применением 60-нанометровой технологии. Таким образом, Samsung продолжает ежегодно удваивать емкость своих NAND-чипов. Напомним, что в 1999 году была представлена 256-мегабитная микросхема NAND-флэш, в 2000 году - чип объемом 512 Мбит, в 2001 году - микросхема емкостью 1 Гбит. В 2002 и 2003 годах последовали чипы объемом 2 и 4 Гбит, соответственно.
Как отмечается в пресс-релизе, 8-гигабитная микросхема NAND-флэш позволит создавать накопители объемом до 16 Гб. Этого, к примеру, хватит для хранения 4000 композиций в формате МР3 длительностью около пяти минут каждая или 16 часов высококачественного видео. Примечательно, что по сравнению с четырехгигабитными чипами, изготавливающимися с применением 70-нанометрового техпроцесса, у новых микросхем на 30 процентов сокращен размер ячеек. Такого показателя удалось добиться за счет применения 3D-транзисторов и особой технологии выполнения изолированного затвора, которая позволила уменьшить интерференцию между ячейками. Кстати, по прогнозам аналитиков из фирмы iSuppli, рынок NAND-флэш памяти к концу 2005 года достигнет объема в 9,9 миллиарда долларов США. Для сравнения, в 2003 году данный показатель составлял 4,2 миллиарда долларов.
Следует заметить, что одновременно с восьмигигабитной микросхемой NAND-флэш компания Samsung представила и еще две новинки - двухгигабитный чип DDR2 SDRAM и новый процессор для портативных устройств. Предполагается, что микросхемы DDR2 SDRAM 2 Гбит будут использоваться прежде всего в высокопроизводительных рабочих станциях и мультимедийных компьютерах. Что касается анонсированного процессора, то он работает на тактовой частоте 667 МГц при напряжении питания 1,35 В и обладает расширенными возможностями по работе с трехмерной графикой.
